下載鏈接：未來(lái)技術(shù)報(bào)告匯總（信息技術(shù)、人工智能、機(jī)器人、半導(dǎo)體芯片等十幾個(gè)細(xì)分市場(chǎng)）
、AI算力投資規(guī)模不斷擴(kuò)大，推動(dòng)光模塊需求擴(kuò)張
光模塊為光通信核心器件，在系統(tǒng)設(shè)備中的成本占比超過(guò)50%。光模塊為光纖通信中的重要組成部分，是實(shí)現(xiàn)光信號(hào)傳輸過(guò)程中光電轉(zhuǎn)換和電光轉(zhuǎn)換功能的光電子器件。一定碼率的電信號(hào)可經(jīng)光模塊內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)芯片處理后由驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體激光器(LD)或者發(fā)光二極管(LED)發(fā)射出相應(yīng)速率的調(diào)制光信號(hào)，通過(guò)光纖傳輸后，光模塊的接收接口再把光信號(hào)由光探測(cè)二極管轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，并經(jīng)過(guò)前置放大器后輸出相應(yīng)碼率的電信號(hào)。在光通信系統(tǒng)中，光模塊是系統(tǒng)物理層的基礎(chǔ)構(gòu)成單元，在系統(tǒng)設(shè)備中的成本占比超過(guò)50%。
AI發(fā)展推動(dòng)光模塊市場(chǎng)應(yīng)用重心從電信側(cè)移向數(shù)通側(cè)，未來(lái)有望逐步從Scale-out推廣至Scale-up。傳統(tǒng)光模塊主要服務(wù)于接入網(wǎng)、無(wú)線網(wǎng)等電信市場(chǎng);但在如今AI迅猛發(fā)展的當(dāng)下，光模塊市場(chǎng)下游應(yīng)用重心逐步移至云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、AI等應(yīng)用為代表的數(shù)通市場(chǎng)。據(jù)LightCounting的數(shù)據(jù)，全球用于AI的光模塊市場(chǎng)規(guī)模占比從2021年的10%左右快速增長(zhǎng)至2025年的60%左右;至2030年還有望進(jìn)一步增至65%。目前，光模塊在AI領(lǐng)域的應(yīng)用主要以機(jī)柜節(jié)點(diǎn)間互聯(lián)的橫向拓展(Scale-Out)為主，但未來(lái)有望進(jìn)一步向機(jī)柜節(jié)點(diǎn)內(nèi)部互聯(lián)的縱向拓展(Scale-up)滲透，預(yù)計(jì)2030年Scale-up應(yīng)用占比將達(dá)21%。
從Scale-out到Scale-across，光模塊在中長(zhǎng)距離互聯(lián)領(lǐng)域具有不可替代性。AI數(shù)據(jù)中心高速連接領(lǐng)域有兩種解決方案，即光連接與銅連接。而銅連接在高速率場(chǎng)景下信號(hào)衰減較快，僅能在短距離內(nèi)使用;以目前較先進(jìn)的單通道224Gbps的銅纜為例，根據(jù)OIF報(bào)告其使用半徑僅1米。但光連接在長(zhǎng)距離傳輸中信號(hào)衰減較少，在以Scale-out為代表的米級(jí)以上的中長(zhǎng)距離互聯(lián)場(chǎng)景具有不可替代性。而英偉達(dá)于2025年8月更是提出跨區(qū)域擴(kuò)展(Scale-across)概念，擬基于其Spectrum-XGS 以太網(wǎng)將不同城市、國(guó)家乃至大洲的數(shù)據(jù)中心組合成龐大的十億瓦級(jí)的AI 超級(jí)工廠，這一技術(shù)需要基于CPO等光連接方案。隨未來(lái)AI算力規(guī)模化建設(shè)，光模塊應(yīng)用場(chǎng)景有望進(jìn)一步擴(kuò)張。
光模塊在Scale-up領(lǐng)域有望打破銅連接壟斷，實(shí)現(xiàn)滲透率逐步提升。此前由于銅連接成本、平均無(wú)故障時(shí)長(zhǎng)、平均功耗層面均對(duì)比光連接有數(shù)量級(jí)優(yōu)勢(shì)，因此可以在短距傳輸?shù)腟cale-up領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，例如英偉達(dá)NVL36/NVL72等互聯(lián)技術(shù)均采用銅互連方案。但目前1)一方面隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展，單節(jié)點(diǎn)內(nèi)集成的GPU數(shù)量不斷增加，對(duì)傳輸距離和帶寬的要求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的銅纜連接已接近瓶頸;2)另一方面CPO等新技術(shù)使光連接的功耗、可靠性、成本、帶寬等指標(biāo)進(jìn)一步優(yōu)化，使其在節(jié)點(diǎn)內(nèi)部應(yīng)用成為可能。英偉達(dá)在3 月舉行的 GTC 2026 大會(huì)上發(fā)布 Vera Rubin NVL576 與 Rosa Feynman NVL1152兩款多機(jī)架系統(tǒng)，將采用銅互聯(lián)+光互聯(lián)混合方案，使光模塊在Scale-up領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。
AI算力投資規(guī)模不斷擴(kuò)大，推動(dòng)光模塊需求擴(kuò)張。為滿足推理與訓(xùn)練算力需求的快速增長(zhǎng)，海內(nèi)外CSP廠商正在持續(xù)加大資本開(kāi)支投入，2024 年以來(lái)行業(yè)整體資本開(kāi)支維持快速上行趨勢(shì)。其中北美四大云廠商谷歌、微軟、亞馬遜、Meta在25Q4單季度合計(jì)資本開(kāi)支高達(dá)1,186.32億美元，同比增長(zhǎng)64%。而根據(jù)5月6日TrendForce的預(yù)期，2026年包括谷歌、微軟、亞馬遜、Meta、Oracle、字節(jié)、騰訊、阿里、百度的全球9大CSP合計(jì)資本支出將達(dá)約8,300億美元，同比增長(zhǎng)79%，資本開(kāi)支高增趨勢(shì)有望延續(xù)。在此背景下，AI算力規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)張將顯著提升數(shù)據(jù)中心內(nèi)部及跨數(shù)據(jù)中心的網(wǎng)絡(luò)帶寬需求，推動(dòng)高速光互聯(lián)基礎(chǔ)設(shè)施加速建設(shè)，進(jìn)而帶動(dòng)光模塊需求同步增長(zhǎng)。
2、AI驅(qū)動(dòng)光模塊技術(shù)升級(jí)，迭代周期不斷加速
AI應(yīng)用對(duì)光模塊性能提出較高要求，驅(qū)動(dòng)光模塊技術(shù)快速發(fā)展。一方面，大模型的訓(xùn)練與推理需要高性能計(jì)算支撐，單一計(jì)算設(shè)備已無(wú)法滿足持續(xù)增長(zhǎng)的算力需求，由此催生的分布式架構(gòu)通過(guò)多個(gè)節(jié)點(diǎn)并行訓(xùn)練，不同節(jié)點(diǎn)之間需頻繁同步模型參數(shù)，對(duì)光連接性能提出大帶寬、低時(shí)延、無(wú)丟包等更高挑戰(zhàn)。另一方面，數(shù)據(jù)/智算中心內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)趨向扁平化，連接密度及交換容量大幅增長(zhǎng);驅(qū)動(dòng)光連接技術(shù)持續(xù)向高速率、大容量、高可靠、低能耗、低時(shí)延、智能化等方向快速發(fā)展。具體技術(shù)迭代方向包括:
(1)高速率光模塊
速率升級(jí)為光模塊技術(shù)升級(jí)最直接的表征，迭代周期進(jìn)一步縮短。從速率來(lái)看，應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的光模塊早期約3~4年更新一代，完成單通道速率從10G到100G的四代升級(jí)。而當(dāng)前在AI影響下光模塊迭代周期進(jìn)一步縮短至2年左右，2025年開(kāi)始光模塊已邁入200G/通道時(shí)代。目前，800G 光模塊已成為全球范圍內(nèi)數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的主流產(chǎn)品，1.6T 光模塊也進(jìn)入商業(yè)化放量階段。至2027~28年后有望實(shí)現(xiàn)單通道400G的傳輸速率，進(jìn)而可實(shí)現(xiàn)3.2T光模塊的商業(yè)化應(yīng)用。
(2)硅光(SiPh)
硅光技術(shù)助力光模塊降本降功耗，在CPO等技術(shù)應(yīng)用推動(dòng)下市場(chǎng)份額逐步提升。傳統(tǒng)光模塊需將多個(gè)分立的光器件分別制造后組裝、集成度較低(結(jié)構(gòu)圖如圖表13所示)，導(dǎo)致連接中存在信號(hào)衰減及功耗較高的問(wèn)題;且傳統(tǒng)光芯片材料多為1-V族半導(dǎo)體(GaAs、InP等)成本較高。而硅光技術(shù)可利用現(xiàn)有CMOS工藝將探測(cè)器、調(diào)制器及無(wú)源光器件等封裝在一個(gè)硅光芯片上，而后再與激光器、電芯片集成至硅光模塊上。由于硅光方案集成度高可有效降低功耗、且主要使用硅和硅基襯底材料可實(shí)現(xiàn)降本，未來(lái)有望成為光模塊領(lǐng)域主流方案。根據(jù)LightCounting于2025年5月的預(yù)測(cè)，硅光市場(chǎng)份額有望逐步從2024年的33%增長(zhǎng)至2030年的近60%;而其于2025年11月的最新預(yù)測(cè)更是表明，隨CPO開(kāi)發(fā)應(yīng)用進(jìn)程加速，硅光市場(chǎng)份額在2026年就有望超過(guò)50%，其滲透速度的預(yù)期進(jìn)一步上調(diào)。
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(3)線性驅(qū)動(dòng)可插拔光模塊(LPO)
LPO在傳統(tǒng)可插拔光模塊基礎(chǔ)上減少DSP芯片，以實(shí)現(xiàn)降功耗、降延遲。LPO去除傳統(tǒng)的DSPICDR芯片，僅留下驅(qū)動(dòng)芯片和跨阻放大器(TIA)，并分別集成CTLE(連續(xù)時(shí)間線性均衡)和EQ(均衡)功能，可在犧牲一定的系統(tǒng)誤碼率和傳輸距離的前提下，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)降功耗、降延遲的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)Macom的數(shù)據(jù)，具有DSP功能的800G多模光模塊的功耗可超過(guò)13W，而利用MACOM PURE DRIVE技術(shù)的800G多模光模塊功耗低于4W。隨LPO技術(shù)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)一步成熟，其有望應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心機(jī)柜內(nèi)服務(wù)器到交換機(jī)的連接及機(jī)柜互聯(lián)等短距離應(yīng)用場(chǎng)景。
(4)近封裝光學(xué)技術(shù)(NPO)1共封裝光學(xué)技術(shù)(CPO
)突破傳統(tǒng)可插拔光模塊框架，NPOICPO技術(shù)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步降低成本/功耗。在傳統(tǒng)可插拔光模塊中，交換ASIC芯片的電信號(hào)需在PCB基板上經(jīng)由15~30cm的較長(zhǎng)銅線才能傳輸至光模塊上，且需經(jīng)過(guò)多個(gè)過(guò)渡節(jié)點(diǎn)，導(dǎo)致電信號(hào)衰減，需要大功率的SerDes驅(qū)動(dòng)。為了改善這一現(xiàn)象，NPO/CPO應(yīng)運(yùn)而生，以縮短電信號(hào)的傳播距離。CPO:將交換ASIC芯片和硅光引擎(光學(xué)器件)在同一高速主板上協(xié)同封裝(短期內(nèi)可集成在ASIC基板上，遠(yuǎn)期可一同集成在中介層上)，可將電信號(hào)傳輸距離降低至10mm量級(jí)，顯著降低功耗、減少尺寸并提高效率。NPO:為CPO前的過(guò)渡，硅光引擎不直接安裝在ASIC基板上，而是與另一個(gè)基板共封，硅光引擎依舊可插拔，為集成度較低的過(guò)渡形態(tài)。
3、光模塊設(shè)備或迎量升價(jià)增，高端產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)替代空間大
（1）下游廠商資本開(kāi)支旺盛，有望帶動(dòng)設(shè)備量?jī)r(jià)齊升
光模塊設(shè)備行業(yè)未來(lái)有望同時(shí)實(shí)現(xiàn)“量升"與“價(jià)增”。一方面，隨著AI算力需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外AIl廠商及云廠商資本開(kāi)支持續(xù)上行，推動(dòng)光模塊需求逐步抬升。在此背景下，光模塊廠商通過(guò)新增產(chǎn)能及產(chǎn)線升級(jí)提升供給能力，從而帶動(dòng)光模塊設(shè)備需求增長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)“量升”。另一方面，隨著AI應(yīng)用不斷深化，光模塊正向1.6T、3.2T等更高速率演進(jìn)，同時(shí)硅光、CPO等新技術(shù)加速導(dǎo)入，對(duì)封裝、耦合及整體制造精度提出更高要求，推動(dòng)設(shè)備向高精度、高自動(dòng)化方向升級(jí)，提升設(shè)備價(jià)值量，從而驅(qū)動(dòng)“價(jià)增”。整體來(lái)看，在下游需求擴(kuò)張與技術(shù)迭代共振下，光模塊設(shè)備行業(yè)有望迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。且由于此前光模塊行業(yè)自動(dòng)化水平整體偏低，光模塊設(shè)備行業(yè)當(dāng)前位于放量元年，市場(chǎng)空間有望持續(xù)拓寬。
光模塊制造自動(dòng)化程度有望進(jìn)一步提升。早期光模塊生產(chǎn)以手工或半自動(dòng)化為主，工藝環(huán)節(jié)依賴(lài)大量人工操作，整體自動(dòng)化水平偏低。以光模塊龍頭中際旭創(chuàng)及新易盛為例，過(guò)去幾輪擴(kuò)產(chǎn)常伴隨生產(chǎn)人員數(shù)量的快速增長(zhǎng)，兩公司生產(chǎn)人員數(shù)量分別從2016年的323/450人快速增長(zhǎng)至2025年的8,090/7,400人，其中 2023~25年合計(jì)平均增速高達(dá)71.7%。但在未來(lái)隨著3.2T/硅光/CPO等技術(shù)加速演進(jìn)，產(chǎn)品復(fù)雜度和制造精度要求顯著提升，傳統(tǒng)依賴(lài)人工的生產(chǎn)模式已難以匹配一致性與良率要求。行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)有望不僅僅是堆疊人力，而是推進(jìn)自動(dòng)化設(shè)備的引入及滲透率提升，設(shè)備端需求有望持續(xù)受益。
國(guó)內(nèi)外光模塊龍頭廠商資本開(kāi)支整體呈現(xiàn)快速上行態(tài)勢(shì)，上游設(shè)備需求或?qū)㈦S之增長(zhǎng)。全球三大光模塊廠商Capex逐步增長(zhǎng)，其中國(guó)內(nèi)中際旭創(chuàng)與新易盛資本開(kāi)支由2023年開(kāi)始加速增長(zhǎng)，分別由2016年的0.35/1.31億元大幅提升至2025年的27.60/13.20億元，連續(xù)兩年保持高位。海外龍頭Coherent資本開(kāi)支也穩(wěn)步增長(zhǎng)，2025年達(dá)5.01億美元，同比增長(zhǎng)28%。以中際旭創(chuàng)為例，公司資本開(kāi)支主要服務(wù)于產(chǎn)能建設(shè)需求，固定資產(chǎn)原值增加額中機(jī)器設(shè)備占比長(zhǎng)期保持在70~90%左右，僅2021/24年房屋建筑物購(gòu)買(mǎi)或轉(zhuǎn)固較多;而2025年末中際旭創(chuàng)在建工程余額中近7成為待安裝機(jī)器設(shè)備。表明機(jī)器設(shè)備已成為光模塊企業(yè)資本開(kāi)支最重要一環(huán)，上游設(shè)備需求或?qū)㈦S之增長(zhǎng)。
從單季度表現(xiàn)來(lái)看，中際旭創(chuàng)與新易盛的Capex自25Q1起持續(xù)逐季提升，至26Q1分別達(dá)到19.29億元和6.31億元，兩者合計(jì)同比/環(huán)比增長(zhǎng)333%/64%，26Q1單季度投入規(guī)模已接近25年全年水平的一半。與此同時(shí)，Coherent亦于26Q1顯著加大資本開(kāi)支力度，單季度Capex達(dá)2.90億美元，同比/環(huán)比分別增長(zhǎng)159%/89%，整體投入強(qiáng)度顯著提升。頭部企業(yè)資本開(kāi)支的持續(xù)提升不僅反映出行業(yè)高景氣與需求確定性，也將直接利好光模塊設(shè)備行業(yè)，有望推動(dòng)設(shè)備訂單釋放與技術(shù)升級(jí)同步加速。
傳統(tǒng)光模塊制造流程包括貼片、引線鍵合、光學(xué)耦合、組裝、測(cè)試五大工藝流程。光模塊封測(cè)過(guò)程的步驟繁多，工藝較為復(fù)雜，主要包括貼片(包括共晶機(jī)、固晶機(jī)等)、鍵合(鍵合機(jī))、光學(xué)耦合(自動(dòng)耦合機(jī))、組裝(自動(dòng)化組裝設(shè)備)以及測(cè)試/檢測(cè)(包括光電子器件測(cè)試設(shè)備、通信測(cè)試儀器、AOI檢測(cè)設(shè)備等)五大環(huán)節(jié)。根據(jù)思瀚產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，當(dāng)前典型場(chǎng)景下貼片、鍵合、耦合、組裝、測(cè)試檢測(cè)五大環(huán)節(jié)，價(jià)值量分別約20%/1%/40%/12%/27%.
隨著光模塊速率進(jìn)一步提升至1.6T及以上，對(duì)精度要求較高的光學(xué)耦合及測(cè)試環(huán)節(jié)價(jià)值量有望持續(xù)抬升，成為設(shè)備端最受益的方向。而CPO技術(shù)路線引入后，鍵合、耦合、測(cè)試環(huán)節(jié)因設(shè)備形態(tài)和工藝復(fù)雜度發(fā)生變化，價(jià)值量提升更為顯著;但鍵合環(huán)節(jié)由于當(dāng)前價(jià)值量基數(shù)較低，整體貢獻(xiàn)有限。因此我們重點(diǎn)關(guān)注耦合與測(cè)試環(huán)節(jié)設(shè)備迭代進(jìn)程。
（2）貼片設(shè)備:光芯片貼片精度要求高，需要核心Know-How
貼片主要目的為將元器件固定在基板等載體上，分為共晶/固晶兩大路線。貼片工藝是光模塊封裝測(cè)試中的關(guān)鍵制程，主要用于將激光器驅(qū)動(dòng)芯片、激光器芯片及探測(cè)器芯片等光電器件高精度固定于載體(如PCB、陶瓷基板)上，其工藝水平直接影響器件的運(yùn)行穩(wěn)定性與長(zhǎng)期可靠性。從技術(shù)路徑看，貼片工藝主要分為共晶貼片與固晶貼片兩類(lèi)，分別對(duì)應(yīng)不同的性能與應(yīng)用場(chǎng)景:
共晶貼片:通過(guò)AuSn等低熔點(diǎn)合金材料，在高溫及加壓條件下實(shí)現(xiàn)芯片與基板的共金結(jié)合，具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，適用于激光器及高功率器件等對(duì)散熱與可靠性要求較高的場(chǎng)景。但該工藝對(duì)溫度曲線與壓力參數(shù)控制要求較高，制程復(fù)雜度與成本相對(duì)更高。
固晶貼片:采用導(dǎo)電銀膠完成芯片與基板的粘接，具備工藝成熟、效率高及適配性強(qiáng)等特點(diǎn)，且由于溫度敏感性更低，適應(yīng)熱敏感元件的貼片。固晶貼片被廣泛應(yīng)用于電芯片及PD等標(biāo)準(zhǔn)化、大規(guī)模生產(chǎn)場(chǎng)景。
（3）鍵合設(shè)備:CPO引入有望推動(dòng)設(shè)備升級(jí)為倒裝/混合
鍵合隨光模塊逐步邁入CPO時(shí)代，鍵合設(shè)備有望從引線鍵合升級(jí)為倒裝/混合鍵合。傳統(tǒng)光模塊鍵合主要采用引線鍵合方式，即在芯片貼裝完成后，通過(guò)金屬引線將芯片壓焊點(diǎn)與PCB焊盤(pán)連接，形成電氣互連，業(yè)內(nèi)通常稱(chēng)為“打線”。該方案工藝成熟、成本較低，但在互連密度、傳輸距離及高速信號(hào)完整性方面存在一定限制。相比之下，其他半導(dǎo)體領(lǐng)域的先進(jìn)封裝早已逐步向倒裝焊(Flip Chip)、熱壓鍵合(TCBonding)、微凸塊(Micro Bump)及混合鍵合(HybridBonding)等技術(shù)演進(jìn)，通過(guò)持續(xù)縮小I/O 間距及凸塊高度、提升I/O密度，以滿足更高帶寬、更低功耗及更短互連路徑需求。隨著光模塊進(jìn)入CPO時(shí)代，先進(jìn)互連技術(shù)亦開(kāi)始加速導(dǎo)入，例如英偉達(dá)采用臺(tái)積電COUPE技術(shù)并使用混合鍵合方案，博通CPO則采用多種先進(jìn)倒裝鍵合技術(shù)。相較傳統(tǒng)引線鍵合方式，CPO對(duì)互連間距、鍵合對(duì)準(zhǔn)精度及工藝控制能力提出顯著更高要求，有望推動(dòng)高端鍵合設(shè)備價(jià)值量進(jìn)一步提升。
高端鍵合設(shè)備主要被海外廠商壟斷，國(guó)產(chǎn)替代空間較大。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，2023年全球熱壓鍵合設(shè)備市場(chǎng)目前仍由海外廠商主導(dǎo)，ASMPT、K&S、BESI、Shibaura及SET等頭部企業(yè)合計(jì)市場(chǎng)份額約達(dá)88%，行業(yè)集中度較高。此外在混合鍵合設(shè)備領(lǐng)域，BES1憑借先進(jìn)封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)占據(jù)領(lǐng)先地位，2023年全球市占率高達(dá)67%。國(guó)內(nèi)方面，拓荊科技、邁為股份等廠商近年來(lái)亦持續(xù)布局混合鍵合設(shè)備，并逐步推進(jìn)關(guān)鍵工藝與核心技術(shù)突破。隨著先進(jìn)封裝及CPO等新應(yīng)用加速落地，國(guó)產(chǎn)廠商有望在未來(lái)幾年持續(xù)提升市場(chǎng)份額。
（4）耦合設(shè)備:光模塊設(shè)備核心環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)企業(yè)市占率提升
耦合設(shè)備為光通信領(lǐng)域獨(dú)有且必備設(shè)備。相較電子可在金屬導(dǎo)體中穩(wěn)定傳輸，光信號(hào)在自由空間傳播過(guò)程中易受到散射、反射及折射等影響，難以實(shí)現(xiàn)高效傳輸，因此需依托光纖進(jìn)行約束與導(dǎo)引。在光模塊內(nèi)部，激光器芯片發(fā)出的發(fā)散光需通過(guò)微透鏡進(jìn)行準(zhǔn)直與聚焦，以提升與光纖模場(chǎng)的匹配度，從而提高耦合效率。從封裝流程看，光耦合是工藝耗時(shí)較長(zhǎng)且對(duì)良率影響顯著的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其本質(zhì)在于實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)與光場(chǎng)匹配，直接決定光模塊的插入損耗及可靠性。典型流程包括對(duì)準(zhǔn)、透鏡耦合、膠水固定及耦合效率驗(yàn)證等步驟。
光模塊耦合設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)80%，高端產(chǎn)品仍待突破。根據(jù)Frost&Sullivan數(shù)據(jù)，按設(shè)備數(shù)量計(jì)，2024年鐳神技術(shù)在全球光模塊耦合設(shè)備市場(chǎng)份額達(dá)到27%，排名全球第一;獵奇智能及海外龍頭FiconTEC以18%/11%的份額位列其后。根據(jù)獵奇智能2026年4月發(fā)布的審核問(wèn)詢(xún)函回復(fù)，目前光模塊耦合設(shè)備整體國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)到約80%的相對(duì)高位，但高端耦合設(shè)備市場(chǎng)仍主要由海外廠商引領(lǐng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在重復(fù)精度、復(fù)雜工藝適配等方面與國(guó)際頂尖水平相比仍存在一定差距，行業(yè)整體呈現(xiàn)量已領(lǐng)先、技術(shù)仍待突破的特點(diǎn)。
（5）測(cè)試/檢測(cè)設(shè)備:高端通信測(cè)試儀器國(guó)產(chǎn)化率仍待提升
測(cè)試/檢測(cè)設(shè)備可以分為通信測(cè)試儀器、光電子器件測(cè)試設(shè)備、A0I檢測(cè)設(shè)備3類(lèi)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景及測(cè)試項(xiàng)目的不同，測(cè)試/檢測(cè)設(shè)備可主要分為:1)光電子器件測(cè)試設(shè)備:主要應(yīng)用于光模塊產(chǎn)業(yè)鏈上游的硅光晶圓、裸芯片、CoC光芯片、光器件等元件的光學(xué)/電學(xué)性能參數(shù)及可靠性測(cè)試。2)通信測(cè)試儀器:主要應(yīng)用于光模塊的信號(hào)測(cè)試，主要設(shè)備包括采樣示波器、時(shí)鐘恢復(fù)單元、誤碼分析儀、光功率計(jì)、光開(kāi)關(guān)、光衰減器等。3)AO1檢測(cè)設(shè)備:主要基于計(jì)算機(jī)視覺(jué)檢測(cè)貼片位置誤差、焊接質(zhì)量、耦合對(duì)準(zhǔn)情況等外觀缺陷，以彌補(bǔ)人工檢測(cè)效率及精度較低的問(wèn)題。
測(cè)試設(shè)備為光模塊生產(chǎn)必備環(huán)節(jié)，無(wú)法用人工替代。根據(jù)新易盛招股說(shuō)明書(shū)披露的截至2015年底的較早期的機(jī)器設(shè)備情況，我們可以得出兩個(gè)結(jié)論:1)早期光模塊生產(chǎn)中測(cè)試設(shè)備為最核心的設(shè)備，關(guān)鍵設(shè)備示波器/誤碼儀占設(shè)備原值的25.9%16.1%，價(jià)值量占比較高。2)從成新率看，示波器/誤碼儀成新率均小于50%、明顯低于自動(dòng)固晶機(jī)/封帽機(jī)等制造端設(shè)備90%以上的成新率，表明相關(guān)測(cè)試設(shè)備在彼時(shí)低速率光模塊時(shí)期已長(zhǎng)期投入使用，而自動(dòng)化制造設(shè)備則處于相對(duì)較新的導(dǎo)入階段。
此外根據(jù)思瀚產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，當(dāng)前光模塊產(chǎn)線中測(cè)試儀器設(shè)備的支出占總設(shè)備支出的比例約27%。因此我們認(rèn)為:測(cè)試設(shè)備是光模塊生產(chǎn)最重要且價(jià)值量較大的環(huán)節(jié)之一，下游廠商即便通過(guò)增加勞動(dòng)力密度的方式擴(kuò)產(chǎn)，也僅能替代部分制造環(huán)節(jié)自動(dòng)化設(shè)備的資本開(kāi)支，而無(wú)法替代測(cè)試設(shè)備的需求，因此確定性較高。且后續(xù)光模塊技術(shù)持續(xù)迭代帶來(lái)高端設(shè)備需求增量，價(jià)值量提升有望進(jìn)一步打開(kāi)測(cè)試設(shè)備空間。